ムラタ*の半導体(シリコン)技術による、独自の集積受動部品/デバイス(Integrated Passive
Devices)により、このような高信頼性が要求される用途での様々な問題を解決できます。高安定シリコンキャパシタは安定性を重視する用途に合わせて作られたものです。HSSCシリーズは、繊細な静電容量回路の静電容量値を大きく設定する必要性を回避し、高いDC電圧安定性を提供します。このテクノロジーは、電圧と温度の動作範囲全体にわたる静電容量の安定性で業界をリードする性能を提供します。シリコンキャパシタの絶縁抵抗は大変高くかつ安定しているため、モバイル用途においてバッテリ寿命を最大30%向上可能です。
ムラタの半導体(シリコン)技術はキャパシタの集積機能(最大250nF/mm2)を特徴とし、従来のソリューションよりもケースサイズの小型化が可能なため、体積に対する厳しい制限要求にも応えます。このテクノロジーは、タンタルやMLCCなど代替となるキャパシタテクノロジーと比較して最大で10倍の信頼性を特徴としており、クラッキング現象が発生しません。このシリコンをベースとする技術はRoHSに対応しており、鉛フリーのリフロー実装が可能です。
* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)