Japan / MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
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静電気による電子機器の破壊を防止!シリコンESD保護デバイスの商品化

2009年7月7日

株式会社村田製作所
代表取締役社長 村田 恒夫

シリコンESD保護デバイス

要旨

(株) 村田製作所は、電子機器の静電気による破壊を防ぐ、シリコンESD保護デバイスを商品化しました。

このESD保護デバイスは当社独特の回路設計により、従来品よりも高レベルのESD特性、繰り返し耐久性を実現しています。

現在、1素子品のほか、アレイ化により2素子、4素子、6素子タイプをラインナップしており、09年9月には10素子タイプ、フィルタ機能内蔵タイプをラインナップ予定です。さらに、セラミックを用いた超低容量タイプもラインナップを予定しており、ESD保護デバイスラインナップの拡充を図ります。

当社は今後もESD保護デバイスの開発を進め、ESDトータルソリューションハウスを目指していきます。

※ESD
Electrostatic Dischargeの略。静電気放電もしくはそれによる機器の破壊のこと。

背景

昨今、電子機器では、多機能化やICの微細配線化により、静電気対策が重要となってきているため、携帯電話やノートPCをはじめとするすべての電子機器にESD保護デバイスを搭載することが必要となっています。また、これまでもESD保護デバイスは商品化されていましたが従来品ではESD抑圧特性が不足する、もしくは繰り返しESDにより抑圧特性が劣化する等の問題がありました。そこで当社は、独自の回路技術によりESD抑圧特性および繰り返し耐久性を高めることによって、それらの問題を解決し、商品化することに成功しました。

特徴

  • 高いESD抑圧特性: 入力電圧15kV時の出力は100V以下に抑制
  • 高い繰り返し耐久性: 接触8kVで1000サイクルに対応
  • フィルタは800MHz〜2GHzで-40dBの減衰
  • セラミック品は超低容量 (0.05pF) を実現

用途

携帯電話、ノートPCをはじめとするすべての電子機器

ラインナップ

  • アレイ: 素子/4素子/6素子 (量産品)、10素子 (開発品)
    アレイ化により、高密度化が可能。
  • フィルタ機能内蔵タイプ (開発品)
    ノイズ除去機能も付加可能。
  • 超低容量タイプ (開発品)
    高周波用途 (アンテナ) 用に、シリコンにかわってセラミックを用いることにより、超低容量タイプ (0.05pF) を開発。低ロス化に貢献。

※詳細ラインナップはこちらをご参照ください。

品番

LXESシリーズ

特性図

IEC-61000-4-2 直接8kV印加時の波形

ESD保護デバイスなし
ESD保護デバイスなし

ESD保護デバイスあり (LXES1TBAA4-005)
ESD保護デバイスあり (LXES1TBAA4-005)

電気的性能

LXES1TBAA2-004

ESD保護 IEC61000-4-2 8kV (直接) 対応
ブレークダウン電圧 6〜10V
容量 0.55pF
リーク電流 1µA以下 (0〜5V)

外形寸法図

シリコン

1素子 2素子 4素子
1素子 2素子 4素子
T=0.55mmMAX T=0.55mmMAX T=0.60mmMAX

フィルタ機能内蔵

10素子
10素子
T=0.67mmMAX

セラミック

1素子
1素子
T=0.4mmMAX

生産体制

09年夏に300万個/月を予定
(10年夏は3000万個/月レベルに拡張予定)

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広報部企業広報課
TEL: 075-955-6786/FAX: 075-955-6526

NOTE
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